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Samsung: en 2021, el debut de los recuerdos DDR5 con tecnología EUV

marzo 25, 2020

Samsung envió un millón de módulos DRAM DDR4 de 10 nm con chips fabricados con la tecnología de proceso D1x basada en la litografía EUV: la compañía surcoreana afirma haber completado con éxito la fase de recolección de las evaluaciones de sus clientes. Una vez que se ha demostrado la eficacia de la tecnología EUV DRAM, la compañía se está preparando para procesos de producción de nueva generación para PC y dispositivos móviles de alta gama, así como servidores y centros de datos.

La adopción de la tecnología EUV le permite a Samsung reducir drásticamente el tiempo de desarrollo y, al mismo tiempo, mejorar rendimiento y rendimiento de las soluciones implementadas. Para satisfacer la creciente demanda de memorias DRAM, el segundo proceso de producción se abrirá en la fábrica de Pyeongtaek a fines de 2020: la intención es acelerar la transición de las memorias DDR4 / LPDDR4 a las de nueva generación DDR5 / LPDDR5.